НОВОСТИ

30 / 03 / 2017

Предприятие «Швабе» стало лауреатом конкурса ЛАС-2017

Предприятие «Швабе» удостоено диплома I степени в конкурсе Лазерной ассоциации (ЛАС), который состоялся в рамках 12-й международной специализированной выставки лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника. Мир лазеров и оптики». Организация холдинга получила награду в номинации «Лазерные информационные системы» за модификацию лазерного гироскопа.

Лауреатом конкурса ЛАС-2017 стал коллектив предприятия холдинга «Швабе» – Научно-исследовательского института «Полюс» (НИИ «Полюс»). В своей работе сотрудники НИИ «Полюс» описали процедуру модификации лазерного гироскопа на базе новых лазерных датчиков угловой скорости, обладающих повышенными точностными и эксплуатационными характеристиками.

«Лазерный гироскоп применяется в навигационных системах кораблей и самолетов и отвечает за определение угла поворота и скорости вращения объекта. Модификация, проведенная специалистами «Полюса», позволит на 15% повысить точность работы систем навигации воздушного или водного судна. Запуск усовершенствованного прибора в производственный процесс запланирован на предприятии во втором квартале 2017 года», – рассказал первый заместитель генерального директора «Швабе» Сергей Попов.

НИИ «Полюс» является многократным лауреатом данного конкурса. Первый диплом ЛАС предприятию был вручен в 2008 году за разработку нового поколения унифицированных модулей мощных полупроводниковых лазеров. Престижной награды в области фотоники организация холдинга была также удостоена за разработку: волоконно-оптического комплекса для передачи информации с датчиков системы наземных измерений космических ракетных установок класса «Ангара 1.2» (2014 год), датчика контроля скорости «Лазерный мобильный ЛУЧ-М» (2015) и других изделий.

НИИ «Полюс» – крупнейший в России научно-производственный центр в области квантовой электроники и лазерной технологии, обладающий многими уникальными базовыми технологиями, в том числе выращиванием высокотемпературных активных и нелинейных лазерных кристаллов; формированием многослойных (до 1000 квантово-размерных слоев) структур соединений А3В5 для полупроводниковых гетеролазеров и фотоприемников методом газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений и гидридов; формированием многослойных диэлектрических покрытий методом ионно-лучевого испарения.

Источник: rostec.ru/news/4520099

версия для печати

Подписка на новости